SPIE高级光刻会议是世界领先的光刻技术会议。在今年会议揭幕的当天,三星和英特尔陈述了当前EUV用作大批量生产的打算状况。
本文将不会总结四个世界领先晶圆制造厂的EUV计划,辩论关于英特尔、三星的工程进度,探究EUV的大批量生产的前景。世界领先晶圆厂的EUV计划在2016年,三星和台积电都开始展开10nm工艺的升级,我们称作“制程工艺”,节距在10nm节点时早已显得没有那么严苛。两个厂商都用光刻技术生产,也是目前最密集的晶圆生产方法。
对于台积电来说,10nm节点却是一个短期的想,主要集中于在手机处理器上。对于三星10nm,这有可能将不会是一个更长寿命的节点,原因如下。在2017年,我们期望着台积电7nm工艺的升级和英特尔需要加快10nm节点进程。据目前报导,预计台积电7nm工艺和10nm工艺的间距完全相同。
有一些证据指出,英特尔的10nm工艺有可能比台积电7nm工艺享有更加小的轨道间距,这就使得英特尔10nm工艺比台积电的7nm工艺更加密集,公司所称为的节点名称或许对进展进程没啥意义。台积电的7nm和英特尔的10nm工艺都将不会使用光刻技术生产,虽然台积电用于的是7nmEUV测试工具。预计,2018年格罗方德和三星将不会生产7nm工艺。
格罗方德的最初工艺将使用光刻技术生产,但当EUV时机成熟时,将改向EUV(事实上,他们正在用于EUV来加快工艺的研发),三星早已对外声称,将用于EUV来应付7nm工艺。三星这次对EUV的赌局,也使得他们能否在2018年公布出来,减少了不确认因素,如此显然,三星10nm工艺节点将不会享有更长寿命。在2019年,台积电有可能将不会升级到5nm制程工艺,我们期望这个工艺将用于EUV技术。
预计在2020年,英特尔将使用7nm工艺。如果EUV需要成熟期,英特尔也不会使用此项技术。SPIE对于EUV的观测在2014年,台积电对EUV展开了十分乐观的评估。
在2015年和2016年,会议上的EUV氛围则显得更加有期望,还包括台积电早已有了更好悲观的评估。2017年,此次会议对EUV的评估则变成了悲观,虽然台积电今年并没作出评价,目前状态或许不是很悲观。另一个找到则十分有意思,在过去,EUV被视作一种比光学的成本要较低的技术。现在显然,我们必须EUV更好是在合理的经济层面上。
随着光罩需求量的大大减少,成本也水涨船高。同时覆盖物也将不会沦为Fab的灾难。覆盖物必须把光罩层有秩序的准确地摆放在彼此的身上。
而随着mask的减少,覆盖层也就不会沦为噩梦。EUV的前景就是增加mask,构建更佳的保真度和更加完全一致的电产率。英特尔和三星据英特尔报导,在2015年有7套EUV系统,现在有14套,其中分别为8套NXE3300B系统和6套NXE3350B系统。
从更好的行业数据来看,NXE3350B预计将类似于NXE3400。三星也注意到了EUV的优势是更高的分辨率和更加较少的mask,EUV的7nm工艺就比光学10nm必须较少的mask。
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